為解決二氧化碳汽提法尿素生產(chǎn)的四種高壓設(shè)備，即尿素合成塔、高壓冷凝器、高壓洗滌塔和二氧化碳汽提塔所用Cr - Ni奧氏體不銹鋼的非敏化晶間腐蝕問題，尿素牌號00Cr17Ni14Mo2和00cr25ni22mo2n仍需選擇具有大量成熟使用經(jīng)驗(yàn)的。但鋼中碳、磷、硅的含量應(yīng)盡量控制，特別是磷的含量應(yīng)盡量低。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。

σ相晶間沉淀理論:對于低碳高鉻高鉬不銹鋼，不存在鉻不良條件，但在650 ~ 850℃熱處理時(shí)，會(huì)形成42 ~ 48%的鉻σ相FeCr金屬間化合物。在過鈍化電位下，相腐蝕嚴(yán)重。陽極溶解電流急劇上升。σ可能是相本身的選擇性溶解。σ相FeCr金屬間化合物只能溶解在強(qiáng)氧化介質(zhì)中。因此，必須用65%的強(qiáng)氧化沸騰硝酸檢測這類腐蝕，使不銹鋼的腐蝕電位達(dá)到過鈍化區(qū)。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

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