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晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經(jīng)1050℃固溶處理后，在強氧化介質(zhì)中也會發(fā)生晶間腐蝕。這時，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明，當p雜質(zhì)達到100ppm或Si雜質(zhì)達到1000 ~ 2000ppm時，它們會在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質(zhì)在強氧化劑介質(zhì)的作用下會溶解，在晶界處產(chǎn)生選擇性晶間腐蝕。該鋼經(jīng)敏化處理后不會出現(xiàn)晶間腐蝕，因為碳和磷形成了磷碳化物，限制了磷向晶界的擴散，降低了雜質(zhì)在晶界的偏析，消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
奧氏體不銹鋼雖然是一種焊接性能優(yōu)良的鋼，但在焊接熱影響區(qū)相對母材再次受熱，導致熔化線附近碳化物析出，晶間腐蝕嚴重。
晶間腐蝕的特點是當金屬表面沒有損傷時，晶粒間的結(jié)合力和金屬的脆響已經(jīng)喪失。在嚴重的情況下，只要輕輕敲擊，它就會碎成粉末。
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