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鎳基含鉻合金的臨界點(diǎn)蝕溫度檢測(cè)樣品如何選擇

發(fā)布時(shí)間:2021-10-28 訪問量:605次 來(lái)源:隱石檢測(cè)
鎳基含鉻合金的臨界點(diǎn)蝕溫度檢測(cè)樣品如何選擇,采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽(yáng)極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗(yàn)溶液,利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過對(duì)材料的金屬腐蝕檢測(cè),能快速了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理 。

鎳基含鉻合金的臨界點(diǎn)蝕溫度檢測(cè)樣品如何選擇

由于鉻在鐵素體中的遷移速度遠(yuǎn)快于奧氏體不銹鋼,即使在高溫下迅速冷卻,也會(huì)析出碳化物,造成鉻貧區(qū)和晶間腐蝕。而在700 ~ 800℃退火時(shí),亞穩(wěn)相cr23c3轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定相Cr23C6,使鉻分布趨于均勻,消除了晶間腐蝕的傾向。


目前,為解決硝酸在使用過程中的非敏化晶間腐蝕問題,主要選用高硅(Si ~ 4%)不銹鋼0cr18ni11si4alti、00cr20ni24si4ti、00Cr14Ni14Si4、00cr17ni15si4nb等。


根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導(dǎo)致晶界處銅含量較低。


晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?,原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。


鎳基含鉻合金的臨界點(diǎn)蝕溫度檢測(cè)樣品如何選擇

鎳基含鉻合金的臨界點(diǎn)蝕溫度檢測(cè)樣品如何選擇針對(duì)以上內(nèi)容大家都了解了嗎?在實(shí)際的生產(chǎn)實(shí)踐中金屬腐蝕檢測(cè)應(yīng)根據(jù)具體情況,依據(jù)可靠性和適用性的原則選擇合適的方法,從而達(dá)到高效、準(zhǔn)確的檢驗(yàn)?zāi)康摹?/div>

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